
晶圆翘曲应力测量仪(桌面式)
具备三维翘曲(平整度)及薄膜应力的检测功能,适用于半导体晶圆生产、半导体制程工艺开发、玻璃及陶瓷晶圆生产,尤其具有测量整面翘曲曲率分布的能力。
优势
✔️ 全口径均匀采样测量,采样间隔最少可至0.1mm
✔️ 同时具备翘曲测量及应力测量功能
✔️ 全直观展现薄膜导致的晶圆形变,可计算整面应力mapping和任意角度的曲率及应力
✔️ 全丰富的软件分析功能,包括:三维翘曲图、晶圆翘曲参数统计(BOW,WARP等)、ROI分析、薄膜应力及分布、应力随时间变化、薄膜应力变温测量、曲率计算、多项式拟合、空间滤波等多种后处理算法。
适用对象
✔️ 2-8 英寸透明、半透明或非透明的抛光晶圆(硅、砷化镓、钽酸锂、玻璃、蓝宝石、磷化铟、碳化硅、氮化镓等材质)、键合晶圆、图形晶圆、方形玻璃等。
✔️ 可检测经过薄膜工艺处理后的透明、半透明或非透明表面,薄膜材质包含且不限于:Si、 SiO2、SiN、三氧化二铝、二氧化钛、光刻胶、金属薄膜、胶黏剂、纳米高分子膜、有机/无机杂化膜等。
适用领域
✔️ 半导体及玻璃晶圆的生产和质量检查
✔️ 半导体薄膜工艺的研究与开发
✔️ 半导体制程和封装减薄工艺的过程控制和故障分析
测量原理
1. 晶圆制程中会在晶圆表面反复沉积薄膜,基板与薄膜材料特性的差异导致晶圆翘曲,翘曲和薄膜应力会对工艺良率产生重要影响
2. 采用结构光反射成像方法测量晶圆的三维翘曲分布,通过翘曲曲率半径测量来推算薄膜应力分布,具有非接触、免机械扫描和高采样率特点,6英寸晶圆全口径测量时间低于30s
3. 通过Stoney公式及相关模型计算晶圆应力分布
实测案例
SM200_d 技术规格
项目 | 参数 | |||
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测量对象 | 2英寸-8英寸抛光/图形晶圆 | |||
采样间隔 | 均匀全口径采样,最小采样间隔0.1mm | |||
测量时间 | 单次测量时间 <30s (6英寸晶圆全口径) | |||
三维翘曲 | 翘曲测量范围 | 0.5μm-5000μm* | ||
重复性 | 0.2μm或1% | 精度 | 0.5μm或1.5% | |
薄膜应力 | 应力测量范围 | 1 MPa - 10000 MPa | ||
曲率测量范围 | 0.5m-10000m | |||
曲率半径重复精度 | <1% 1σ (@曲率半径25 m) | |||
薄膜应力重复精度 | 1.5MPa或1% | |||
工作软件 | Stress Mapper 软件:采图、测量控制及计算分析 | |||
软件功能 | 三维翘曲显示、晶圆翘曲参数统计(BOW,WARP等)、薄膜应力及分布、时变稳定性分析、多种拟合算法、空间滤波算法等 |
40001百老汇晶圆翘曲应力测量仪将全口径翘曲、应力、表面瑕疵等分析整合进入每一次测量,确保我们的客户能够快速确认工艺。